SiC肖特基勢壘二極管

                                                SiC器件具有出色的特性,能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。

                                                產品信息

                                                • 產品信息

                                                SiC-SBD系列

                                                接線 VRRM (V) Io (A)
                                                TO-220

                                                TO-220F

                                                TO-247

                                                T-Pack(s)
                                                單管 650 6 FDCP06S65 FDCA06S65
                                                8 FDCP08S65 FDCA08S65
                                                10 FDCP10S65 FDCA10S65 FDCY10S65 FDCC10S65
                                                25 FDCP25S65 FDCA25S65 FDCY25S65 FDCC25C65
                                                1200 18 FDCA18S120 FDCY18S120
                                                雙管 650 20 FDCP20C65 FDCA20C65 FDCY20C65 FDCC20C65
                                                50     FDCY50C65  
                                                1200 36     FDCY36C120  

                                                :新產品

                                                :更新

                                                :開發中

                                                 


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